Imágenes del Producto

Información Básica

Características Principales

• Transistor de efecto de campo (FET) de alta eficiencia
• Diseñado para aplicaciones de radiofrecuencia y amplificación
• Bajo consumo de energía y alta durabilidad
• Compatible con estándares industriales de telecomunicaciones
• Frecuencia de operación hasta 1.2 GHz
• Paquete de 3 terminales para fácil instalación

Especificaciones Técnicas