Diodo de alta velocidad / 10 ns / 200 mA / 100 V / -55°C a +150°C / RoHS REACH
Imágenes del Producto
Información Básica
Marca
YAESU
Modelo
G2070174
Garantía
3
Características Principales
- Recuperación ultrarrápida de 10 ns para conmutación eficiente
- Corriente directa de 200 mA para circuitos de baja potencia
- Tensión inversa de ruptura de 100 V para protección confiable
- Encapsulado plástico industrial resistente a condiciones adversas
- Rango operativo extendido de -55°C a +150°C
- Cumplimiento RoHS y REACH para entornos regulados
Especificaciones Técnicas
Diodo de alta velocidad diseñado para aplicaciones de conmutación rápida en equipos de comunicación profesional. Su tiempo de recuperación de 10 ns permite operación eficiente en circuitos de RF y sistemas donde la respuesta temporal es crítica. Construido con encapsulado plástico industrial que garantiza durabilidad en condiciones de operación exigentes. Compatible con el transceptor portátil VX-1R de YAESU para reemplazo o mantenimiento de componentes de protección y rectificación.
Características principales
- Tiempo de recuperación inversa: 10 ns
- Corriente directa máxima: 200 mA
- Tensión inversa de ruptura: 100 V
- Encapsulado plástico resistente para uso industrial
- Temperatura de operación: -55°C a +150°C
- Cumplimiento con estándares RoHS y REACH
Especificaciones técnicas
Tipo de componente
Diodo de alta velocidad
Tiempo de recuperación
10 ns
Corriente directa máxima
200 mA
Tensión inversa de ruptura
100 V
Encapsulado
Plástico industrial resistente
Rango de temperatura
-55°C a +150°C
Estándares ambientales
RoHS, REACH
Aplicación
VX-1R (YAESU)