Transistor Dual Q1 (MRF-1550NFT1) para Amplificador TPL PA31AC.

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Transistor Dual Q1 (MRF-1550NFT1) para Amplificador TPL PA31AC. - 1

Transistor Dual Q1 (MRF-1550NFT1) para Amplificador TPL PA31AC. - 2

Información Básica

Marca

TPL COMMUNICATIONS

Modelo

B2-189

Garantía

3

Especificaciones Técnicas

Transistor Dual Q1 (MRF-1550NFT1) para Amplificador TPL PA31AC.

Características técnicas

Tipo: Transistor Dual Q1
Modelo: MRF-1550NFT1
Aplicación: Amplificador TPL PA31AC
Tecnología: N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Frecuencia operativa: Hasta 175 MHz
Potencia de salida: 50 Watts @ 175 MHz
Ganancia de potencia: 14.5 dB @ 175 MHz
Eficiencia: 55% @ 175 MHz
Tensión de operación: 12.5 Vdc

Especificaciones

Fabricante: TPL Communications
Referencia: B2189
Compatibilidad: Diseñado para integración en sistemas TPL
Paquete: TO-272-6, CASE 1264-10, STYLE 1
Tensión drenaje-fuente máxima: 40 Vdc
Tensión puerta-fuente máxima: ±20 Vdc
Corriente de drenaje continua: 12 Adc
Disipación total del dispositivo: 165 W @ TC = 25°C
Temperatura de unión operativa: 200°C

Aplicaciones

Amplificadores de potencia TPL
Sistemas de comunicación profesional
Equipos de transmisión
Amplificadores de fuente común para aplicaciones VHF/UHF
Equipos móviles FM de 12.5 voltios
Aplicaciones de amplificación de banda ancha 135-175 MHz

Consideraciones técnicas

Componente específico para amplificador PA31AC
Compatibilidad verificada con sistemas TPL
Reemplazo directo según especificaciones
Capaz de manejar VSWR 20:1 @ 15.6 Vdc, 175 MHz
Excelente estabilidad térmica
Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalentes en serie
Paquete plástico capaz de 200°C
Terminaciones libres de plomo (RoHS Compliant)

Características eléctricas

Resistencia térmica: 0.75°C/W (unión a caja)
Capacitancia de entrada (Ciss): ≤500 pF @ 1 MHz
Capacitancia de salida (Coss): ≤250 pF @ 1 MHz
Capacitancia de transferencia inversa (Crss): ≤35 pF @ 1 MHz
Corriente de drenaje a tensión cero de puerta: ≤1 μAdc
Tensión umbral de puerta: 1-3 Vdc
Resistencia drenaje-fuente encendido: ≤0.5 Ω @ VGS=5V, ID=1.2A

Información

Tipo: Componente electrónico
Categoría: Transistor de potencia
Uso: Integración en sistemas TPL
Tecnología: MOSFET Lateral RF de potencia
Banda operativa: 135-175 MHz (banda ancha completa)
Nivel de sensibilidad a humedad: MSL 3 (260°C peak)

Consideraciones de diseño

Dispositivo de fuente común para amplificadores RF de potencia
Alta ganancia y rendimiento de banda ancha
Inmunidad relativa al descontrol térmico
Capacidad de soportar cargas severamente desadaptadas
Sistemas de polarización simples
Corriente de polarización sugerida: 500 mA

Características de protección

Dispositivos MOS sensibles a descargas electrostáticas
Precauciones razonables en manejo y empaquetado requeridas
Sin diodo zener interno puerta-fuente
Protección de puerta externa recomendada si es necesaria
Evitar circuitos de puerta abiertos o flotantes