Memoria microSD / 512 GB / 180 MB/s Lectura / 150 MB/s Escritura / V30 U3 A2 / Para Drones y Cámaras de Acción / HIKSEMI CAPTURE E3

Memoria microSDXC de 512 GB diseñada para aplicaciones de captura de alta intensidad como drones y cámaras de acción. Ofrece velocidades de lectura secuencial de 180 MB/s y escritura de 150 MB/s, con clasificación V30 U3 A2 que asegura la grabación continua de video 4K sin frames congelados ni interrupciones. La arquitectura NAND TLC incorpora wear leveling avanzado para distribuir el desgaste de escritura de manera uniforme, extendiendo la vida útil del dispositivo. Opera en un rango térmico de -25°C a 85°C y cuenta con resistencia certificada a agua, impactos, vibraciones, rayos X y campos magnéticos, garantizando la integridad de los datos en entornos hostiles.

Características Generales

• Capacidad: 512 GB
• Velocidad de lectura secuencial: 180 MB/s
• Velocidad de escritura secuencial: 150 MB/s
• Clase de velocidad: V30, U3, A2, Clase 10
• Tipo de memoria: NAND TLC
• Wear leveling avanzado
• Rango de temperatura operativa: -25°C a 85°C
• Resistencia: agua, golpes, vibraciones, rayos X, magnetismo, electricidad estática