Diodo de Silicon Epitaxial para TK2100/3102.
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Equipos Relacionados
• Baja capacitancia.(C=0.8pF max)
• Baja resistencia hacia adelante. (rf=1,0 Ω máx.)
• El paquete plano ultrapequeño (UFP) es adecuado para el diseño de montaje en superficie.
Índices absolutos máximos
(Ta = 25°C)
Elemento Símbolo Valor Unidad
Pico de tensión inversa VRM 65 V
Voltaje inverso VR 60 V
Corriente directa IF 100 mA
Disipación de potencia Pd 150 mW
Temperatura de unión Tj 125 °C
Temperatura de almacenamiento Tstg -55 a +125 °C
Características electricas
(Ta = 25°C)
Elemento Símbolo Mín. Tipo Máx. Unidad Condición de prueba
Corriente inversa IR 0.1 ìA VR = 60V
Tensión directa VF 1,0 V IF = 10 mA
Capacitancia C 0,8 pF VR = 1V, f = 1 MHz
Resistencia directa RF 1,0 Ù IF = 10 mA, f = 100 MHz
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Especificaciones, Precios y Fotografías de los Productos:
* Las especificaciones, características, funciones, cualidades, colores, precios, así como las fotografías son ciertas al momento de la publicación, pero ocasionalmente hay ligeros cambios debido a la tecnología cambiante.* Los precios finales están calculados con un 4% de descuento adicional tomando en cuenta que el tipo de pago es a contado, ya sea en efectivo o con transferencia electrónica.
* El precio del producto puede cambiar dependiendo de la forma de pago. Los precios publicados son precios sin IVA.
** Precio especial hasta agotar existencias.